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崗位職責：

1.提供半導體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）器件模型開發和優化的解決方案，確保模型的準確性和可靠性；
2.提供器件測試方案，包括I-V測試、連續波（CW）和脈沖S參數測試，功率測試、噪聲測試以及溫度相關的特性測試等；
3.深度參與跨部門合作，提供建模支持，提升器件良率和優化模型精度，探索新型建模技術和方法；
4.撰寫詳細的技術文檔，記錄建模過程、測試結果、模型參數等關鍵信息；建立及優化器件建模相關標準流程。
5.完成領導安排的其他任務。

崗位要求：

1. 博士及以上學歷，電子工程、半導體物理、微電子學或相關專業，具備扎實的半導體專業理論基礎。

2. 有半導體砷化鎵和氮化鎵器件建模相關工作經驗，具備獨立承擔項目或關鍵任務的能力，能夠在復雜的工作環境中解決實際問題。

3.精通半導體器件物理原理，尤其是砷化鎵和氮化鎵器件，深入理解其工作機制、特性以及與工藝的關聯性。

4.熟練掌握IC-CAP、MQA、ADS、Ansys等主流的半導體器件建模與仿真軟件，能夠運用這些工具進行高效的模型開發和分析。

5.具備豐富的射頻器件測試經驗，熟悉各類探針臺的在片射頻器件建模參數表征方法，以及Load-Pull等射頻儀器儀表的操作和使用，能夠準確獲取、分析、處理測試數據。

6.精通各種工藝器件模型建模技術，豐富的模型建模經驗，能從數學公式中準確分析影響模型精度的根源，實現精準的模型建模。

7.具有良好的團隊合作精神，較強的英語讀寫能力，擁有較強的學習能力和創新思維。