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崗位職責：
1.負責氮化鎵相關工藝研發：外延設計、器件開發與優化；
2.解決工藝和可靠性的關鍵技術問題；
3.跟蹤技術前沿，撰寫專利和論文，并推動技術成果轉化；
4.協助團隊完成科研項目申報及產業化落地；
5.制定團隊技術成員的培養計劃，負責人員培訓；
6.完成領導安排的其他任務。
崗位要求：
1.博士及以上學歷，微電子、材料科學、半導體物理、化學、電子科學或半導體相關專業；
2.半導體或電子器件行業工作經驗；有從事化合物工藝研發，掌握氮化鎵制程原理、設備、工藝等的關鍵技術優先。
3.熟悉GaN MOCVD外延生長、光刻、刻蝕、薄膜沉積等半導體工藝技術。
4.精通GaN器件（包括但不限于HEMT）的制備與測試表征。
5.熟練使用TCAD、COMSOL等仿真工具進行工藝及可靠性仿真，并熟悉材料分析設備。
6.具備扎實的數據分析和寫作匯報能力，有團隊協作精神及良好的溝通協作能力，能獨立承擔研發任務。