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1.工藝開發(fā)與整合：
負(fù)責(zé)或參與LTPS Array新工藝、新技術(shù)的開發(fā)、導(dǎo)入與優(yōu)化，致力于提升產(chǎn)品性能、良率及效率。
負(fù)責(zé)特定或多個關(guān)鍵制程模塊（如薄膜沉積、黃光、刻蝕、離子注入、激光退火）的工藝與整合，確保全線工藝穩(wěn)定。
2.新品導(dǎo)入與支持：
支持新產(chǎn)品的Array段導(dǎo)入工作，完成從設(shè)計(jì)）到實(shí)際產(chǎn)品輸出的工藝匹配與驗(yàn)證。
制定新產(chǎn)品的Array段試產(chǎn)計(jì)劃，并負(fù)責(zé)流程跟進(jìn)與數(shù)據(jù)總結(jié)，確保新產(chǎn)品順利量產(chǎn)移交。
3.良率提升與問題解決：
主導(dǎo)Array段各類不良（如Mura、短路、斷路、顆粒污染、電性參數(shù)漂移等）的分析與改善，運(yùn)用FMEA、DOE等工具進(jìn)行根本原因分析，實(shí)施有效的糾正與預(yù)防措施。
持續(xù)監(jiān)控在線工藝參數(shù)及CP/TFT電性測試數(shù)據(jù)，建立數(shù)據(jù)模型，主動識別變異并推動良率提升。
4.技術(shù)文件與標(biāo)準(zhǔn)建立：
建立、編寫和維護(hù)Array段各類工藝操作規(guī)程、標(biāo)準(zhǔn)文件及質(zhì)量控制計(jì)劃。
負(fù)責(zé)新設(shè)備、新材料的評估與導(dǎo)入，并制定相應(yīng)的工藝規(guī)格和驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)。
5.跨部門協(xié)作：
與研發(fā)團(tuán)隊(duì)緊密合作，將新技術(shù)從實(shí)驗(yàn)階段轉(zhuǎn)化為可量產(chǎn)的生產(chǎn)工藝。
與設(shè)備、質(zhì)量及Cell/Module段工程師協(xié)同工作，解決涉及Array根源的綜合性技術(shù)問題。

人員要求：

1.學(xué)歷與專業(yè)：
本科及以上學(xué)歷，微電子學(xué)、半導(dǎo)體物理、電子科學(xué)與技術(shù)、材料科學(xué)與工程、光電等相關(guān)專業(yè)。
2.工作經(jīng)驗(yàn)：
具備5年以上TFT-LCD/OLED行業(yè)Array工藝相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，有LTPS（低溫多晶硅）或Oxide（氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。熟悉Array全制程或精通某一特定核心制程模塊者尤佳。
3.專業(yè)知識與技能：
核心知識： 深刻理解半導(dǎo)體物理、晶體管原理（MOSFET） 及TFT器件結(jié)構(gòu)與特性。
工藝精通： 精通LTPS Array以下至少兩到三項(xiàng)關(guān)鍵制程：
薄膜沉積： PECVD、Sputter。黃光微影： 涂布、曝光、顯影?？涛g技術(shù)： 干法刻蝕、濕法刻蝕。
離子注入 與 激光退火 工藝。
4.分析能力： 能夠解讀TFT的CP測試數(shù)據(jù)，并能與陣列工藝進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析。
工具使用： 熟悉SEM、EDX等，具備基本的數(shù)據(jù)分析能力。
5.能力與素質(zhì)：
具備強(qiáng)烈的責(zé)任心、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度和出色的邏輯分析能力。
能夠適應(yīng)潔凈室工作環(huán)境，具備良好的團(tuán)隊(duì)合作精神和溝通能力。
具備良好的英語閱讀能力，能夠閱讀英文技術(shù)資料。