職位描述
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工作職責:1. 3D NAND 存儲器件仿真與建模分析。2. 通過仿真和數(shù)值、解析建模,分析3D NAND存儲器件及陣列操作的性能及可靠性問題,實現(xiàn)3D NAND存儲器器件級陣列級的性能及可靠性優(yōu)化。3. 新一代3D NAND技術的存儲器件建模與前期技術研發(fā)。4. 存儲器相關新結構和新工藝的仿真流程搭建和仿真分析。5. 存儲器相關操作方式的優(yōu)化和仿真分析。6. 存儲器相關仿真模型與仿真方法的研發(fā)。1. 3D NAND memory device simulation and modeling analysis.2. Analyze the characteristics and reliability problems of 3D NAND memory device by simulation, numerical and analytical modeling, to further realize the optimization of the characteristics and reliability of 3D NAND memory device at the array level.3. New generation 3D NAND technology memory device modeling and preliminary technology development.4. Memory device related new structure and new process simulation process setup and simulation analysis.5. Optimization and simulation analysis of memory device related operation scheme.6. Development of memory device related simulation model and simulation method任職資格:1. 學歷:物理/微電子/材料等專業(yè)碩士及以上2. 工作年限:2年MOS或flash器件相關工作經(jīng)驗3. 熟悉半導體工藝和器件技術,有CMOS或存儲器件仿真經(jīng)驗4. 熟練使用TCAD仿真軟件5. 掌握扎實的半導體器件知識6. 有一定的python或C 語言基礎7. 良好的溝通能力、英語口語和書面寫作能力8. 良好的學習能力和分析問題的能力1. Master degree or above in physics/microelectronics/materials2. Working experience: 2 years related work experience in MOS or flash devices3. Familiar with semiconductor process and device technology, CMOS or memory device simulation experience is required4. TCAD experience5. Good at semiconductor devices6. Python or C language7. Good communication skills and English skills8. Good learning ability and ability to analyze problems
職能類別:半導體技術
關鍵字:TCAD仿真
工作地點
地址:武漢武漢
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職位發(fā)布者
HR
長江存儲科技有限責任公司
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電子技術·半導體·集成電路
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1000人以上
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公司性質(zhì)未知
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東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
應屆畢業(yè)生
學歷不限
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注:聯(lián)系我時,請說是在四川人才網(wǎng)上看到的。
